国内首款 1.6Tb / s 硅光互连芯片已完成研制
作者 | 物联网智库2021-12-29

近日,中国信息通信科技集团光纤通信技术和网络国家重点实验室联合国家信息光电子创新中心(NOEIC)、鹏城实验室,在国内率先完成了 1.6Tb / s 硅基光收发芯片的联合研制和功能验证,实现了我国硅光芯片技术向 Tb / s 级的首次跨越,为我国下一代数据中心内的宽带互连提供了可靠的光芯片解决方案。

国内首款 1.6Tb / s 硅光互连芯片已完成研制

光芯片是光通信系统中的关键核心器件,硅光芯片作为采用硅光子技术的光芯片,是将硅光材料和器件通过特色工艺制造的新型集成电路。相对于传统三五族材料光芯片,因使用硅作为集成芯片衬底,硅光芯片具有集成度高、成本低、光波导传输性能好等特点。目前,国际上 400G 光模块已进入商用部署阶段,800G 光模块样机研制和技术标准正在推进中,而 1.6Tb / s 光模块将成为下一步全球竞相追逐的热点。

据悉,在本次 1.6Tb / s 硅基光收发芯片的联合研制和功能验证中,研究人员分别在单颗硅基光发射芯片和硅基光接收芯片上集成了 8 个通道高速电光调制器和高速光电探测器,每个通道可实现 200Gb / s PAM4 高速信号的光电和电光转换,最终经过芯片封装和系统传输测试,完成了单片容量高达 8×200Gb / s 光互连技术验证。该工作刷新了国内此前单片光互连速率和互连密度的最好水平,展现出硅光技术的超高速、超高密度、高可扩展性等突出优势,为下一代数据中心内的宽带互连提供了可靠的光芯片解决方案,将为超级计算、人工智能等新技术、新产业蓬勃发展提供有力支撑。

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2021-12-29